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FDS4935A
2个P沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4935A
- 商品编号
- C236903
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23776克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |