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FDS8858CZ
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.6A
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- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8858CZ
- 商品编号
- C236908
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
双N沟道和P沟道PowerTrench MOSFET，N沟道：30V、8.6A、17.0mΩ；P沟道：-30V、-7.3A、20.5mΩ。这些双N沟道和P沟道增强型功率MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10V、ID = 8.6A时，最大rDS(on) = 17mΩ
- 在VGS = 4.5V、ID = 7.3A时，最大rDS(on) = 20mΩ
- Q2：P沟道
- 在VGS = -10V、ID = -7.3A时，最大rDS(on) = 20.5mΩ
- 在VGS = -4.5V、ID = -5.6A时，最大rDS(on) = 34.5mΩ
- 在广泛使用的表面贴装封装中具有高功率和处理能力
- 开关速度快
应用领域
- 逆变器
- 同步降压