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FDS4675

1个P沟道 耐压:40V 电流:11A

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描述
此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS4675
商品编号
C236902
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.114克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.4W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC@4.5V
输入电容(Ciss)4.35nF
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)622pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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