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FDP3632
N沟道 耐压:100V 电流:80A
- 描述
- 特性：RDS(ON) = 7.5 mΩ (Typ.), VGS = 10 V, ID = 80 A。 Qg (tot) = 84 nC (Typ.), VGS = 10 V。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：同步整流。 电池保护电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP3632
- 商品编号
- C236900
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 导通电阻RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 80 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 84 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具备非钳位感性负载(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器