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FDMS7658AS
N沟道 耐压:30V 电流:176A
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- 描述
- FDMS7658AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7658AS
- 商品编号
- C236896
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 176A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.685nF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET是低压和电池供电应用的高效解决方案。该器件采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺，可将导通电阻降至最低，以优化功耗。它们非常适合对在线功率损耗要求严苛的应用。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为6.1 A时，最大漏源导通电阻为27 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为5.3 A时，最大漏源导通电阻为36 mΩ
- SuperSOT™ -6封装：占位面积小（比标准SO - 8小72%）、厚度薄（1 mm厚）
- 符合RoHS标准
应用领域
-笔记本电脑、硬盘驱动器的电源管理