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FDD5614P
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5614P
- 商品编号
- C236892
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.474克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款60V P沟道MOSFET采用安森美半导体的高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -15 A，-60 V。在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 100 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 130 mΩ
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器-电源管理-负载开关