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NTZD5110NT1G
2个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
- 描述
- 这是一个 60 V N 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTZD5110NT1G
- 商品编号
- C236251
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |