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FDB2532
1个N沟道 耐压:150V 电流:79A
- 描述
- 特性：RDS(on) = 14 mΩ（典型值），@ VGS = 10 V，ID = 33 A。 QG(tot) = 82 nC（典型值），@ VGS = 10 V。 低米勒电荷。 低 Qrr 体二极管。 UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：消费电器。 同步整流
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB2532
- 商品编号
- C236885
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 615pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 33 A条件下，RDS(on) = 14 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，QG(tot) = 82 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 消费电器
- 同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器