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FDC634P
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC634P
- 商品编号
- C236888
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 779pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品概述
这款P沟道2.5V特定MOSFET采用了仙童半导体（Fairchild）的低压PowerTrench工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -3.5 A，-20 V。在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 80 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 110 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为7.2 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护