FDD10AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:11A 电流:50A
描述
N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，50A，10.5mΩ
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDD10AN06A0商品编号
C236889商品封装
DPAK-3包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10.5mΩ@50A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.84nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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