我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FDD10AN06A0实物图
  • FDD10AN06A0商品缩略图
  • FDD10AN06A0商品缩略图
  • FDD10AN06A0商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD10AN06A0

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
N 沟道,PowerTrench MOSFET,60V,50A,10.5mΩ
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD10AN06A0
商品编号
C236889
商品封装
DPAK-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))10.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)135W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)37nC@10V
输入电容(Ciss)1.84nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)340pF

商品特性

  • 导通电阻rDS(ON) = 9.4 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 50 A
  • 总栅极电荷Qg(tot) = 28 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷体二极管
  • 具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性负载开关能力(UIS)
  • 通过AEC Q101认证
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电机/车身负载控制
  • 防抱死制动系统(ABS)
  • 动力总成管理
  • 喷射系统
  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V和24V系统的初级开关

数据手册PDF