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FDC6303N
2个N沟道 耐压:25V 电流:0.68A
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- 描述
- 此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6303N
- 商品编号
- C236887
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于无需偏置电阻，这一个N沟道场效应管可以替代几个具有不同偏置电阻的数字晶体管，如IMHxA系列。
商品特性
- 25 V，连续电流0.68 A，峰值电流2 A。
- 当VGS = 2.7 V时，RDS(ON) = 0.6 Ω
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.45 Ω。
- 栅极驱动要求极低，允许在3V电路中直接工作。VGS(th) < 1.5 V。
- 栅源极齐纳二极管，增强ESD耐受性。人体模型>6kV
- 用一个DMOS场效应管替代多个NPN数字晶体管（IMHxA系列）。