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NVF2955T1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.6A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道功率 MOSFET。 此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVF2955T1G
- 商品编号
- C236253
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 492pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |