温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB13AN06A0
N沟道,电流:62A,耐压:60V
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，62A，13.5mΩ， 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB13AN06A0
- 商品编号
- C236884
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 62 A条件下，rDS(on) = 11.5 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，Qg(tot) = 22 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 体二极管Qrr低
- 具有UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 电机负载控制-DC-DC转换器和离线式UPS-分布式电源架构和VRM