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FDB045AN08A0
1个N沟道 耐压:75V 电流:19A
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- 描述
- N 沟道 PowerTrench MOSFET 75 V，80 A，4.5 m? 此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB045AN08A0
- 商品编号
- C236883
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下，RDS(on) = 3.9 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，QG(tot) = 92 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源