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NVD5C684NLT4G
1个N沟道
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5C684NLT4G
- 商品编号
- C236252
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V；24.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |