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NTLJS4114NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.8A
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- 描述
- 功率 MOSFET，30 V，7.8 A，?Cool，单 N 沟道，2x2 mm，WDFN 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS4114NT1G
- 商品编号
- C236247
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- WDFN封装提供外露漏极焊盘,实现出色的热传导
- 2 x 2 mm封装尺寸与SC - 88相同
- 2 x 2 mm封装中最低的导通电阻RDS(on)
- 具备1.8 V导通电阻RDS(on)额定值,适用于低电压逻辑电平栅极驱动操作
- 低外形(< 0.8 mm),易于在轻薄环境中安装
- 这是一款无铅器件
应用领域
- DC - DC转换
- LED背光升压电路
- 优化用于便携式设备(如手机、个人数字助理、媒体播放器等)的电池和负载管理应用
- 适用于嘈杂环境的低端负载开关