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NTP2955G
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- P沟道 -60V -12A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP2955G
- 商品编号
- C236248
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
NCEP60T18采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 性能稳定
- 快速开关
- 这些是无铅器件*
应用领域
-工业-汽车-电源