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NTK3043NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:285mA
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- 描述
- 功率 MOSFET，20 V，285 mA，N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTK3043NT1G
- 商品编号
- C236245
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 285mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8Ω@1.65V | |
| 耗散功率(Pd) | 545mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.3pF |
商品特性
- 支持高密度 PCB 制造
- 与 SC-89 相比，占位面积减小 44%，厚度降低 38%
- 低电压驱动，使该器件非常适合便携式设备
- 低阈值电平，VGS(TH) < 1.3 V
- 薄型封装（< 0.5 mm），可轻松适配如便携式电子产品等超薄环境
- 采用标准逻辑电平栅极驱动，便于使用相同基本拓扑结构向更低电平迁移
- 这些器件为无铅、无卤器件
应用领域
- 接口、开关-高速开关-手机、个人数字助理(PDA)