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NTK3139PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:780mA
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- 描述
- 特性：P沟道开关，低导通电阻RDS(on)。 比SC-89封装的占位面积小44%，厚度薄38%。 低阈值电平，允许1.5V的RDS(on)额定值。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：负载/电源开关-接口。 逻辑开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTK3139PT1G
- 商品编号
- C236246
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 780mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有低导通状态漏源电阻（RDS(on)），可确保功率损耗最小并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 低 RDS(on) 的 P 沟道开关
- 与 SC-89 相比,占位面积缩小 44%,厚度降低 38%
- 低阈值电平,支持 1.5 V RDS(on) 额定值
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-负载/电源开关-接口、逻辑开关-超小型便携式电子设备的电池管理