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NTJS4151PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 沟槽功率 MOSFET，-20 V，-4.2 A，单 P 沟道，SC-88
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJS4151PT1G
- 商品编号
- C236244
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 领先的沟槽技术,实现低 RDS(ON),延长电池续航
- SC-88小外形封装(2x2 mm),最大限度提高电路板利用率,与SC-70-6相同
- 栅极二极管,用于静电放电(ESD)保护
- 提供无铅封装
应用领域
-高端负载开关-手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)