温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTJS3151PT2G
P沟道 MOSFET,电流:3.3A,耐压:12V
- 描述
- 小型信号 MOSFET -12V -3.3A 60 mΩ 单 P 沟道 SC-88，带 ESD 保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJS3151PT2G
- 商品编号
- C236242
- 商品封装
- SC-88-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
NCE20P70G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 领先的沟槽技术,实现低 RDS(ON),延长电池续航
- SC-88小外形封装(2x2 mm,等效于SC70-6)
- 栅极二极管用于静电放电(ESD)保护
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-高端负载开关-手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)