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NTD14N03RT4G
N沟道, 14A, 25V
- 描述
- 功率 MOSFET 14 A，25 V，N 沟道 DPAK
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD14N03RT4G
- 商品编号
- C236233
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 平面HD3e工艺，实现快速开关性能
- 低导通电阻RDS(on)，将传导损耗降至最低
- 低输入电容Ciss，将驱动损耗降至最低
- 低栅极电荷
- 针对高效DC-DC转换器中的高端开关要求进行优化
- NVD和SVD前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准