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NTHD3100CT1G
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:4.4A
- 描述
- 功率 MOSFET，互补，20 V，+3.9/-4.4 A，ChipFET
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHD3100CT1G
- 商品编号
- C236238
- 商品封装
- SMD-8P,3.2x1.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 互补N沟道和P沟道MOSFET
- 尺寸小,比TSOP - 6封装小40%
- 无引脚SMD封装,具备出色的热特性
- 采用沟槽式P沟道,实现低导通电阻
- 低栅极电荷N沟道,用于测试开关
- 提供无铅封装
应用领域
-DC-DC转换电路-需要电平转换的负载开关应用-驱动小型无刷直流电机-适用于便携式电池供电产品的电源管理应用