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NTJD4152PT1G
2个P沟道 耐压:20V 电流:0.88A
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- 描述
- 特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻性能。 小尺寸封装（相当于SC70-6）。 栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些是无铅器件。应用：负载/电源管理。 充电电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4152PT1G
- 商品编号
- C236239
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 272mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术,实现低 RDS(ON) 性能
- 小尺寸封装(等效于SC70-6)
- 栅极具备ESD保护
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些是无铅器件
应用领域
-负载/电源管理-充电电路-负载开关-手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)