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NTJD4401NT1G
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.91A
- 描述
- 特性：小尺寸封装（2 x 2 mm）。 低栅极电荷N沟道器件。 栅极具备ESD保护。 与SC-70封装相同（6引脚）。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准。应用：负载电源开关。 锂离子电池供电设备
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4401NT1G
- 商品编号
- C236240
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 910mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 375mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 小尺寸封装（2 x 2 mm）
- 低栅极电荷N沟道器件
- 栅极具备ESD保护
- 与SC-70封装（6引脚）相同
- 符合AEC-Q101标准且可提供PPAP文件 - NVJD4401N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 负载电源开关-锂离子电池供电设备-手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理-DC-DC转换