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NTE4151PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:760mA
- 描述
- 小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTE4151PT1G
- 商品编号
- C236236
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 313mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |