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NTGS4141NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 功率 MOSFET，30 V，7.0 A，单 N 沟道，TSOP-6
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS4141NT1G
- 商品编号
- C236237
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- NV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 提供无铅封装
应用领域
-负载开关-笔记本电脑-台式电脑