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NTD3055L170T4G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTD3055L170T4G

1个N沟道 耐压:60V 电流:9A 停产

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描述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用而设计。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTD3055L170T4G
商品编号
C236234
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@5V
耗散功率(Pd)28.5W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.7nC@5V
输入电容(Ciss)275pF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

商品概述

专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。

商品特性

  • NVD 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些是无铅器件

应用领域

  • 电源-转换器-动力电机控制-桥式电路

数据手册PDF