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FDMC86259P
1个P沟道 耐压:150V 电流:13A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86259P
- 商品编号
- C890968
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 137mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别设计，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -3 A条件下,最大rDS(on) = 107 mΩ
- 在VGS = -6 V、ID = -2.7 A条件下,最大rDS(on) = 137 mΩ
- 极低的RDS-on中压P沟道硅技术,针对低Qg进行了优化
- 该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关