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FDMC7696
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7696
- 商品编号
- C890948
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺生产，该工艺融合了屏蔽栅极技术。此工艺在漏源导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性方面进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 12 A 时,最大 rDS(on) = 11.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 10 A 时,最大 rDS(on) = 14.5 m Ω
- 采用高性能技术,实现极低的 rDS(on)
- 该器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC降压转换器-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关