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FDMC8030
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
- 描述
- 此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个 40V N 沟道 MOSFET。该封装针对卓越热性能进行了改善。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8030
- 商品编号
- C890952
- 商品封装
- Power(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@3.2V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.975nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双Power 33（3 mm X 3 mm MLP）封装中集成了两个40V N沟道MOSFET。该封装经过优化，具备出色的热性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时，最大rDS(on) = 10 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 14 mΩ
- 在VGS = 3.2 V、ID = 4 A时，最大rDS(on) = 28 mΩ
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 负载点