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FDMC86160ET100
1个N沟道 耐压:100V 电流:43A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86160ET100
- 商品编号
- C890964
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
此 N 沟道 MOSFET 采用带屏蔽栅极技术的先进 PowerTrench 工艺生产。该工艺针对导通电阻进行了优化。此器件非常适合需要在小空间内实现超低 RDS(on)的应用,例如高性能 VRM、POL 和 Orring 功能。
商品特性
- TJ额定值扩展:175°C
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大 rDS(on) = 14 mΩ (VGS = 10 V, ID = 9 A)
- 最大 rDS(on) = 23 mΩ (VGS = 6 V, ID = 7 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端无引线且符合RoHS标准
应用领域
- 桥式拓扑
- 同步整流器