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FDMC86240
N沟道 150V 4.6A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86240
- 商品编号
- C890966
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时仍保持出色的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 51 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 3.9 A时，最大rDS(on) = 70 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度1 mm
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换