温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -1 A时,最大rDS(on) = 1.2 Ω
- 在VGS = -6 V、ID = -0.9 A时,最大rDS(on) = 1.4 Ω
- 极低导通电阻、中压P沟道硅技术,针对低栅极电荷(Qg)进行优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关