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FDMD8240L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMD8240L

2个N沟道 耐压:40V 电流:23A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMD8240L
商品编号
C890979
商品封装
PQFN-12​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)4.23nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

该器件在双功率(3.3 mm X 5 mm)封装中集成了两个40V N沟道MOSFET。高侧源极和低侧漏极内部相连,适用于半桥/全桥应用,采用低源极电感封装和低 rDS(on) / Qg 品质因数硅技术。

商品特性

  • 在 VGS= 10 V、ID = 23 A 时,最大 RDS(ON)= 2.6 m Ω
  • 在 VGS= 4.5 V、ID = 19 A 时,最大 RDS(ON)= 3.95 m Ω
  • 非常适合桥拓扑初级侧的灵活布局
  • 经过100% UI1L测试
  • 具备开尔文高侧MOSFET驱动引脚功能
  • 引脚无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
  • 电机桥:无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
  • 中压负载点:同步降压开关

数据手册PDF