FDMD8240L
2个N沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8240L
- 商品编号
- C890979
- 商品封装
- PQFN-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,23A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.23nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该器件在双功率（3.3 mm X 5 mm）封装中集成了两个100V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部相连，适用于半桥/全桥电路，采用低源极电感封装，具有低导通态漏源电阻（rDS(on)）与栅极电荷（Qg）优值（FOM）的硅材料。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 7 A时，最大导通态漏源电阻（rDS(on)） = 19.5 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 5.7 A时，最大导通态漏源电阻（rDS(on)） = 30 mΩ
- 非常适合桥拓扑结构初级侧的灵活布局
- 引脚无铅且符合RoHS标准
- 经过100% UIS测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
应用领域
- 同步降压：电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥：无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点：48V同步降压开关