FDMD82100L
FDMD82100L
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD82100L
- 商品编号
- C890978
- 商品封装
- PQFN-12(3.3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
商品概述
该器件在双功率(3.3 mm X 5 mm)封装中集成了两个100V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接,适用于半桥/全桥应用,采用低源极电感封装和低 rDS(on) / Qg 品质因数的硅材料。
商品特性
- 在 VGS= 10 V、ID = 7 A 时,最大 RDS(ON)= 19.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 5.7 A 时,最大 rDS(on) = 30 m Ω
- 非常适合桥拓扑结构初级侧的灵活布局
- 引脚无铅且符合RoHS标准
- 经过100% UIS测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
应用领域
- 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥:无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点:48V同步降压开关