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FDMC8360LET40
1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:141A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8360LET40
- 商品编号
- C890959
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺已针对导通电阻进行优化，同时仍保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 27 A时,最大rDS(on) = 2.1 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 3.1 mΩ
- 用于实现极低rDS(on)的高性能技术
- 引脚无铅
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换