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FDMC86102LZ
耐压:100V 电流:22A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86102LZ
- 商品编号
- C890963
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 6.5 A时,最大rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A时,最大rDS(on) = 35 mΩ
- 典型HBM ESD保护等级 >6 KV
- 100%通过UIL1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC开关