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FDMC86012
耐压:30V 电流:88A
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- 描述
- 此器件专用于提高 DC-DC 转换器的能效。在 MOSFET 结构中使用新型技术，门极电荷和电容的各个组件得以优化，可降低开关损耗。低门极电阻和极低米勒电荷可在自适应和固定死区时间门极驱动电路中实现卓越性能。保持了极低 rDS(on)，提供了一个亚逻辑电平器件。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86012
- 商品编号
- C890962
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷和极低的漏源导通电阻进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 23 A 时,最大 rDS(on) = 2.7 m Ω
- 在 VGS = 2.5 V、ID = 17.5 A 时,最大 rDS(on) = 4.7 m Ω
- 实现极低RDS(ON)的高性能技术
- 无铅端接
- 经过 100% UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 3.3 V 输入同步降压开关
- 同步整流器