- 引脚图
- 焊盘图
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FDMC8588DC
FDMC8588DC
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8588DC
- 商品编号
- C890961
- 商品封装
- DualCool-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.695nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 493pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计,可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- Dual CoolTM顶侧散热PQFN封装
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5.7 mΩ
- 先进的开关性能
- 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷,提升效率
- 屏蔽栅极技术可减少开关节点振铃,增强对EMI和交叉导通的抗扰性
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高端计算的高端开关
- 高功率密度DC-DC同步降压转换器