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FDMC8360L
耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8360L
- 商品编号
- C890958
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.795nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的升压拓扑设计，采用单封装解决方案。其特点是MOSFET具有低输入电容、总栅极电荷和导通电阻，以及一个独立连接的肖特基二极管，具有低正向电压和反向漏电流，可最大限度提高升压效率。 MicroFET 2x2封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 27 A条件下,最大rDS(on) = 2.1 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 22 A条件下,最大rDS(on) = 3.1 m Ω
- 具备极低rDS(on)的高性能技术
- 引脚无铅
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换