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FDMC8327L
N沟道 40V 43A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8327L
- 商品编号
- C890957
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@4.5V；7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 347pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 9.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10 A时,最大rDS(on) = 12.5 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度0.8mm
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换