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商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 8.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10 A时,最大rDS(on) = 13.0 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流降压转换器
- 笔记本电池电源管理
- 笔记本中的负载开关