FDMC8588
1个N沟道 耐压:25V 电流:16.5A 电流:40A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8588
- 商品编号
- C890960
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V 、 ID = 16.5 A 时,最大 rDS(on) = 5.7 m Ω
- 先进的开关性能
- 较低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷可提高效率
- 屏蔽栅极技术可减少开关节点振铃,并增强对EMI和交叉导通的抗扰性
- 符合RoHS标准
应用领域
-高端计算的高端开关-高功率密度DC-DC同步降压转换器