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FDMC8097AC
1个N沟道+1个P沟道 耐压:150V 电流:2.4A 电流:900mA
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- 描述
- 这些双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。缩小实现有源箝位拓扑所需的空间； 实现同类最佳的功率密度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8097AC
- 商品编号
- C890954
- 商品封装
- WDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA；2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最小化导通电阻的同时保持出色的开关性能。缩小了有源钳位拓扑的实现面积，实现了同类最佳的功率密度。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 2.4 A时,最大rDS(on) = 155 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 2 A时,最大rDS(on) = 212 mΩ
- Q2:P沟道
- VGS = -10 V、ID = -0.9 A时,最大rDS(on) = 1200 mΩ
- VGS = -6 V、ID = -0.8 A时,最大rDS(on) = 1400 mΩ
- 针对有源钳位正激转换器进行了优化
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 有源钳位