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FDMC8032L
2个N沟道 耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 该器件在双Power 33（3 mm x 3 mm MLF）封装中集成了两个40 V N沟道MOSFET。这种封装经过优化，具备出色的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8032L
- 商品编号
- C890953
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC7672S采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 20 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6 A时,最大rDS(on) = 27 m Ω
- 低电感封装可缩短上升/下降时间
- 降低开关损耗
- 经过100% Rg测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电池保护-负载开关-负载点