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FDMC8015L
采用先进功率沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，低导通电阻且开关性能优越，适用于负载开关和电机桥接开关
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8015L
- 商品编号
- C890950
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造,该工艺经过特别设计,可在保持出色开关性能的同时,最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A条件下,最大rDS(on) = 26 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6 A条件下,最大rDS(on) = 36 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度为1 mm
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电机桥接开关