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FDMC86183
1个N沟道 耐压:100V 电流:47A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86183
- 商品编号
- C890965
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时,最大rDS(on) = 12.8 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 8 A时,最大rDS(on) = 34.6 mΩ
- 与其他MOSFET供应商相比,Qrr降低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1稳健封装设计
- 100%通过UI1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- DC-DC和AC-DC中的同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能