FDMC8321LDC
1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:108A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8321LDC
- 商品编号
- C890956
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.965nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，实现极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。
商品特性
- Dual CoolTM顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 27 A时,最大rDS(on) = 2.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 21 A时,最大rDS(on) = 4.1 mΩ
- 采用高性能技术,实现极低的rDS(on)
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC开关-电机桥式开关-同步整流器