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FDMC7672S
1个N沟道 耐压:30V 电流:14.8A 电流:18A
- 描述
- FDMC7672S 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7672S
- 商品编号
- C890947
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
FDMC2D8N025S 旨在最大程度减少功率转换过程中的损耗。硅技术和封装技术的不断进步使得其导通电阻 rDS(on) 保持在最低水平，同时还能保持出色的开关性能。该器件还具有一个额外的优点，即拥有高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 最大导通电阻 rDS(on) = 1.9 毫欧，在栅极-源极电压 VGS 为 10 伏、漏极电流 ID 为 28 安时的条件下
- 最大导通电阻 rDS(on) = 2.4 毫欧，在栅极-源极电压 VGS 为 4.5 伏、漏极电流 ID 为 25 安时的条件下
- 采用高性能技术，可实现极低的导通电阻 rDS(on)
- SyncFET™ 型肖特基体二极管
- 100% UI1L 测试通过
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-直流-直流转换器的同步整流器-笔记本电脑主电源/显卡的低侧开关-网络点负载设备的低侧开关-电信系统中的次级侧整流器